إظهار الشريط الجانبي
عرض 9 12 18 24
مقارنة

ديود زينر – MM1Z18V WL SMD

0.000 $
جهد زنر (الاسمي): 18 فولت
نطاق جهد زنر: 16.8V ~ 19.1V
قدرة تبديد الطاقة: 500mW
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

ديود زينر – BZT52C5V6S W9 SMD

0.000 $
الجهد (VZ): 5.6V
قدرة التبديد القصوى: 1/5W (0.2W)
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

ديود زينر BZT52C5V1S-W8 SOD-323

0.000 $
جهد زينر (Vz): 5.1 فولت
قدرة التشتت: 1/5 واط (0.2 واط)
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

ديود زينر – Zener diode 5.1V 0.5W

0.000 $
يوفر هذا الدايو د أداء موثوق به مع مقاومة زينر منخفضة وعامل تنظيم منخفض
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

فوهة طابعة ثلاثية الأبعاد – 0.4mm

,
0.000 $
توفر تدفقاً دقيقاً ومنتظماً، مثالية للطباعة التي تستخدم مواد مثل PLA
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

YGW40N120F1C

,
0.000 $
النوع: IGBT منفصل
الحزمة: TO247
جهد انهيار المجمع-المشع (VCE): 1200 فولت
تيار المجمع (IC): 40 أمبير (مستمر)
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

FHA25T120A FET

,
0.000 $
بديلاً عن ترانزستور 25T120 MOSFET المستخدم عادة في محولات الطاقة الشمسية منخفضة الطاقة
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

قاعدة – USB Type B 2.0

0.000 $
يدعم سرعات نقل بيانات تصل إلى 480 ميجابت/ثانية
عدد المواضع: 5 (5 أطراف)
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

Z0109

,
0.000 $
ثايريستور عالي الأداء مصمم خصيصًا لتطبيقات التبديل في التيار المتردد (AC)
التيار RMS (IT(RMS)): 1 Amp
أقصى جهد تشغيل (V DRM/VRRM): 600 Volts
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

13003 NPN

,
0.000 $
جهد المجمع-الباعث (VCEO): 400 فولت
جهد قاعدة المجمع (VCBO): 700 فولت
تيار المجمع المستمر (IC): 1.5 أمبير، الذروة (ICM): 3 أمبير
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

شريحة منظم جهد – 7533 LDO BUCK

,
0.000 $
توفر خرجاً ثابتاَ عبر نطاق واسع من جهود الإدخال  
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

2SD965

,
0.000 $
نوع الترانزستور: NPN
أقصى تيار  (IC): 5 أمبير
أقصى جهد  (VCE): 20 فولت
أقصى جهد  (VCB): 40 فولت
إضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع