عرض 877–888 من أصل 2045 نتيجةتم الفرز حسب متوسط التقييم

BT151-500R

0.000 $
النوع: ثايرستور (SCR)
الحد الأقصى من تيار الخرج المتوسط (IT): 12A
الحد الأقصى من الجهد العكسي المتكرر (VDRM): 500V
تيار تفعيل البوابة (IGT): عادةً 50 مللي أمبير

BT131

0.000 $
التصنيف الجهد (V): 600 فولت (Max Repetitive Peak Off-State Voltage)
التصنيف التيار (I): 1 أمبير (Max RMS On-State Current)
قدرة البوابة (P): 5 واط (Peak Gate Power)

MMBT2222A

0.000 $
ترانزستور NPN صغير للإشارات الثنائية.
تيار جامع مستمر (IC) يبلغ 600 مللي أمبير.
جهد Emitter-Base (VBE) هو 6 فولت.
جهد جامع-Emitter (VCE) يصل إلى 40 فولت.

IRFP4668

0.000 $
نوع الترانزستور: N-Channel
أقصى جهد بين المصرف والمصدر (VDS): 200 فولت
أقصى جهد بين البوابة والمصدر (VGS): ±20 فولت
أقصى تيار مستمر للمصرف (ID): 130 أمبير

4N65 – MOSFET N-Channel

0.000 $
الحد الأقصى لجهد المصدر-المصرف (Vds): 650 فولت
الحد الأقصى لجهد البوابة-المصدر (Vgs): 30 فولت
الحد الأقصى لتيار المصرف (Id): 4 أمبير

19N60E

0.000 $
جهد التصريف إلى المصدر (VDS): 600 فولت
تيار التصريف المستمر (ID): 19 أمبير
جهد البوابة إلى المصدر (VGS): ±20 فولت

IRFB4115 N-Channel Power MOSFET

0.000 $
جهد التصريف إلى المصدر (VDS): 150 فولت
تيار التصريف المستمر (ID): 115 أمبير
جهد البوابة إلى المصدر (VGS): -20 إلى +20 فولت

ICE2QR2280Z

0.000 $
لديها مكوّن CoolMOS® المدمج القادر على تحمل جهد يصل إلى 800 فولت

مفتاح تبديل ثلاثي الوضعيات – MTS-123

0.000 $
بحجم 6 مم، يتميز بلون أحمر وآلية تبديل ثلاثية السرعات. يأتي بآلية مزدوجة الجوانب مع خاصية إعادة التعيين

شريحة – LNK623PG

0.000 $
تلغي الحاجة لمقارنات ضوئية (optocoupler) ودوائر التحكم في الجهد الثانوية

AOD609 – MOSFET

0.000 $
توفر هذا المكون بنوعين: N-Channel و P-Channel، مما يجعله مثاليًا للاستخدام في الدوائر الإلكترونية مثل H-bridges والعواكس.

شريحة – TNY278PN

0.000 $
هذه الشريحة تحتوي على MOSFET بجهد 700 فولت، مولد تذبذب، ومصادر تيار متغيرة للتشغيل، وحد تحكم في التيار