FGH40N60 – IGBT

0.000 $
أقصى جهد بين المجمع والباعث (VCE): 600 فولت
أقصى جهد بين البوابة والباعث (VGE): ±20 فولت
التبديل النبضي (النبض القصير): حتى 120 أمبير،

K40H1203 – IGBT

0.000 $
  • جهد المجمع-الباعث : 1200 فولت
  • تيار المجمع : 40 أمبير (عند 100°C)، يصل إلى 80 أمبير (عند 25°C)
  • جهد البوابة-الباعث : ±20 فولت

IKW50N60H3 – IGBT

0.000 $
جهد المجمع-الباعث: 600 فولت تيار المجمع المستمر: 100 أمبير جهد البوابة-الباعث: ±20 فولت

NCE80TD60BT IGBT

0.000 $
نوع قناة IGBT: قناة N
|Vce| - الجهد الأقصى من المجمع إلى الباعث: 600 فولت
|Vge| - الجهد الأقصى من البوابة إلى الباعث: ±30 فولت
|Ic| - التيار الأقصى للمجمع: 160 أمبير عند 25℃

IGW75N65H5 IGBT

0.000 $
جهد المجمع إلى الباعث (VCE): 650 فولت
جهد البوابة إلى الباعث (VGE): ±20 فولت (للإجهاد العابر)
تيار المجمع المستمر (IC):75.0 أمبير (عند درجة حرارة 100°C)

 40TPS12A SCR

0.000 $
النوع: ثايرستور SCR
تصنيف الجهد: 1200 فولت (ذروة التكرار العكسي)
تصنيف التيار: 35 أمبير

BTW69-1200 

0.000 $
ثايرستور SCR عالي القدرة
IT(RMS): 50 أمبير
VDRM/VRRM: 1200 فولت
IGT: 80 مللي أمبير

BTA16-600B

0.000 $
هو ثايرستور رباعي الاتجاهات (Triac) مصنوع بتقنية التصنيع المسطح (planar passivated) 600V / 16A

BT151-500R

0.000 $
النوع: ثايرستور (SCR)
الحد الأقصى من تيار الخرج المتوسط (IT): 12A
الحد الأقصى من الجهد العكسي المتكرر (VDRM): 500V
تيار تفعيل البوابة (IGT): عادةً 50 مللي أمبير

BT131

0.000 $
التصنيف الجهد (V): 600 فولت (Max Repetitive Peak Off-State Voltage)
التصنيف التيار (I): 1 أمبير (Max RMS On-State Current)
قدرة البوابة (P): 5 واط (Peak Gate Power)

MMBT2222A

0.000 $
ترانزستور NPN صغير للإشارات الثنائية.
تيار جامع مستمر (IC) يبلغ 600 مللي أمبير.
جهد Emitter-Base (VBE) هو 6 فولت.
جهد جامع-Emitter (VCE) يصل إلى 40 فولت.

IRFP4668

0.000 $
نوع الترانزستور: N-Channel
أقصى جهد بين المصرف والمصدر (VDS): 200 فولت
أقصى جهد بين البوابة والمصدر (VGS): ±20 فولت
أقصى تيار مستمر للمصرف (ID): 130 أمبير