LNK304GN

يُعتبر LNK304GN دارة متكاملة عالية الأداء لإدارة الطاقة (PMIC) من POWER INTEGRATIONS، مصممة كمبدل AC/DC ووحدة تحكم SMPS. هذه الدائرة المتكاملة متعددة الاستخدامات مناسبة لمجموعة واسعة من التطبيقات التي تتطلب تحويل الطاقة وإدارتها بكفاءة.

الميزات الرئيسية:

• نوع الدائرة المتكاملة: PMIC
• الوظيفة: مبدل AC/DC، وحدة تحكم SMPS
• نطاق جهد الإدخال: 85 إلى 265 فولت AC
• التيار الناتج: 120 إلى 170 مللي أمبير
• تردد التشغيل: 62 إلى 70 كيلو هرتز
• نوع التركيب: مكون مركب سطحي (SMD)
• نوع الحزمة: SMD-8B
• دعم التوبولوجيا: بانخفاض، بانخفاض-زيادة، خلفي
• نطاق درجة حرارة التشغيل: -40 إلى 150 درجة مئوية
• مقاومة التشغيل: 27.6Ω
• جهد الانهيار: 700 فولت
• سلسلة الشركة المصنعة: LinkSwitch-TN

وصف الوظائف للأطراف:

• طرف DRAIN (D):
  اتصال تصريف MOSFET. يوفر تيار التشغيل الداخلي لكل من التشغيل الأولي والحالة المستمرة.
• طرف BYPASS (BP):
  نقطة اتصال لمكثف تجاوز خارجي بقيمة 0.1 ميكروفاراد لتغذية داخلية بجهد 5.8 فولت.
• طرف FEEDBACK (FB):
  خلال التشغيل العادي، يتم التحكم في تبديل MOSFET عبر هذا الطرف. يتم إيقاف تبديل MOSFET عند تدفق تيار أكبر من 49 ميكروأمبير إلى هذا الطرف.
• طرف SOURCE (S):
  هذا الطرف هو اتصال مصدر MOSFET. كما أنه يمثل مرجع الأرض لأطراف BYPASS وFEEDBACK.

وصف وظيفة LinkSwitch-TN: يجمع LinkSwitch-TN بين مفتاح MOSFET عالي الجهد ووحدة تحكم إمداد الطاقة في جهاز واحد. على عكس وحدات التحكم التقليدية PWM (وحدات التحكم بعرض النبضة)، يستخدم LinkSwitch-TN تحكمًا بسيطًا ON/OFF لتنظيم جهد الإخراج.

يتكون وحدة التحكم LinkSwitch-TN من:

• مذبذب
• دائرة التغذية الراجعة (استشعار ومنطق)
• منظم بجهد 5.8 فولت
• دائرة كشف الجهد المنخفض لطرف BYPASS
• حماية من ارتفاع درجة الحرارة
• تذبذب التردد
• دائرة حد التيار
• إلغاء النقطة الرائدة
• MOSFET بجهد 700 فولت

تحتوي LinkSwitch-TN على دوائر إضافية لإعادة التشغيل التلقائي.

المذبذب: التردد النموذجي للمذبذب مضبوط داخليًا على متوسط 66 كيلو هرتز. يتم توليد إشارتين من المذبذب: إشارة أقصى دورة عمل (DCMAX) وإشارة ساعة تشير إلى بداية كل دورة.

تحتوي دائرة المذبذب في LinkSwitch-TN على دوائر تُدخل كمية صغيرة من تذبذب التردد، عادةً 4 كيلو هرتز ذروة إلى ذروة، لتقليل انبعاث EMI. يتم تعيين معدل تعديل تذبذب التردد إلى 1 كيلو هرتز لتحسين تقليل EMI لكل من الانبعاثات المتوسطة والذروة الكاذبة.

دائرة مدخل التغذية الراجعة: تتكون دائرة مدخل التغذية الراجعة في الطرف FEEDBACK من مخرج تابع للجهد منخفض المقاومة مضبوط على 1.65 فولت. عندما يتجاوز التيار المقدم إلى هذا الطرف 49 ميكروأمبير، يتم توليد مستوى منطق منخفض (تعطيل) في مخرج دائرة التغذية الراجعة. يتم أخذ عينة من هذا المخرج في بداية كل دورة عند حافة صاعدة لإشارة الساعة. إذا كانت عالية، يتم تشغيل MOSFET للطاقة لهذه الدورة (مفعل)؛ وإلا، يبقى MOSFET للطاقة مغلقًا (معطلًا).

منظم بجهد 5.8 فولت ومثبط جهد 6.3 فولت: يقوم منظم 5.8 فولت بشحن المكثف المتصل بطرف BYPASS إلى 5.8 فولت عن طريق سحب تيار من الجهد على الطرف DRAIN، كلما كان MOSFET مغلقًا. يمثل طرف BYPASS عقدة جهد الإمداد الداخلية لـ LinkSwitch-TN. عندما يكون MOSFET مفتوحًا، يعمل LinkSwitch-TN بالطاقة المخزنة في المكثف.

جهد منخفض لطرف BYPASS: تقوم دائرة جهد منخفض لطرف BYPASS بتعطيل MOSFET للطاقة عندما ينخفض جهد الطرف BYPASS إلى أقل من 4.85 فولت. بمجرد أن ينخفض جهد الطرف BYPASS إلى أقل من هذا الحد، يجب أن يرتفع مرة أخرى إلى 5.8 فولت لتفعيل (تشغيل) MOSFET للطاقة.

حماية من ارتفاع درجة الحرارة: تستشعر دائرة إيقاف التشغيل الحراري درجة حرارة الشريحة. يتم تعيين العتبة عند 142 درجة مئوية نموذجية مع تذبذب 75 درجة مئوية. عندما ترتفع درجة حرارة الشريحة فوق هذه العتبة (142 درجة مئوية)، يتم تعطيل MOSFET للطاقة ويظل معطلاً حتى تنخفض درجة حرارة الشريحة بمقدار 75 درجة مئوية، وفي هذه النقطة يتم إعادة تفعيله.

حد التيار: تستشعر دائرة حد التيار التيار في MOSFET للطاقة. عندما يتجاوز هذا التيار العتبة الداخلية (ILIMIT)، يتم إيقاف MOSFET للطاقة لبقية تلك الدورة.

Data sheet: lnk302_304-306-1512550