IGW75N65H5 IGBT
0.000 $
جهد المجمع إلى الباعث (VCE): 650 فولت
جهد البوابة إلى الباعث (VGE): ±20 فولت (للإجهاد العابر)
تيار المجمع المستمر (IC):75.0 أمبير (عند درجة حرارة 100°C)
الوصف
نظرة عامة على المنتج: جهاز IGW75N65H5 هو ترانزستور ثنائي القطب المعزول (IGBT) من الجيل الخامس، يستخدم تقنية TRENCHSTOP™ 5. تم تصميم هذا الجهاز المتقدم لتوفير كفاءة استثنائية في تطبيقات التبديل الصلب (hard-switching) والترددات الرنانة (resonant topologies)، مما يجعله مناسبًا لمجموعة متنوعة من التطبيقات عالية الأداء.
المميزات والفوائد:
- تقنية H5 عالية السرعة: تقدم كفاءة أفضل في فئة التبديل الصلب والتطبيقات الرنانة.
- سهولة الاستبدال: متوافق مع أجهزة IGBT من الأجيال السابقة، مما يسهل ترقيته في التصميمات الحالية.
- تصنيف الجهد: مصمم لتحمل جهد انقطاع يبلغ 650 فولت، مناسب لمجموعة من التطبيقات عالية الجهد.
- شحن بوابة منخفض (QG): يحسن من أداء التبديل والكفاءة.
- درجة حرارة جهد قصوى عالية: يعمل بشكل موثوق عند درجة حرارة جهد قصوى تبلغ 175 درجة مئوية.
- معتمد وفقًا لمعايير JEDEC: يتوافق مع المعايير للتطبيقات المستهدفة، مما يضمن الموثوقية والأداء.
- صديق للبيئة: طلاء رصاص خالٍ ومتوافق مع RoHS.
التطبيقات:
- وحدات الطاقة غير المنقطعة (UPS)
- محولات الطاقة الشمسية
- معدات اللحام
- محولات التردد المتوسطة إلى العالية
المواصفات الفنية
| المعلمة | الرمز | القيمة | الوحدة |
|---|---|---|---|
| جهد المجمع إلى الباعث (Tj ≥ 25°C) | VCE | 650 | فولت |
| تيار المجمع المستمر | IC | 120.0 (Tj max) | أمبير |
| IC | 75.0 (Tj = 100°C) | أمبير | |
| تيار المجمع النبضي | ICpuls | 300.0 | أمبير |
| منطقة التشغيل الآمنة عند الإيقاف | VCE ≤ 650V, Tj ≤ 175°C, tp = 1μs | 300.0 | |
| جهد البوابة إلى الباعث | VGE | ±20 | فولت |
| ±30 | فولت | ||
| القدرة الضائعة (Tc = 25°C) | Ptot | 395.0 | واط |
| القدرة الضائعة (Tc = 100°C) | Ptot | 198.0 | واط |
| درجة حرارة التشغيل | Tj | -40 إلى +175 | درجة مئوية |
| درجة حرارة التخزين | Tstg | -55 إلى +150 | درجة مئوية |
| درجة حرارة اللحام | 260 | درجة مئوية | |
| عزم التركيب | 0.6 | نيوتن متر |
خصائص المقاومة الحرارية
| المعلمة | الرمز | الظروف | الوحدة |
|---|---|---|---|
| مقاومة حرارية من الوصلة إلى الهيكل | Rth(j-c) | كلفن/واط | |
| 0.38 | |||
| مقاومة حرارية من الوصلة إلى المحيط | Rth(j-a) | كلفن/واط | |
| 40 |
تعريف دبابيس الحزمة
- الدبوس 1: بوابة
- الدبوس 2: المجمع (موصول أيضًا بالجهة الخلفية)
- الدبوس 3: الباعث
جهاز IGW75N65H5 IGBT مثالي للتطبيقات التي تتطلب تحكمًا فعالًا في الطاقة وعملاً موثوقًا في بيئات صارمة، مما يضمن أداءً مثاليًا عبر مجموعة متنوعة من التطبيقات عالية الطاقة.
Data sheet: Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_02-EN
الشحن والتسليم
نعمل مع العديد من شركات الشحن والتوصيل
شركات التوصيل ضمن المحافظات:
- دمشق: Yes Delivery. لمعرفة أسعار الشحن ضمن مدينة دمشق اضغط هنا.
- حلب: فلاش دلفري.
اختر ما يناسبك من شركات التوصيل في مدينتي دمشق وحلب
شركات الشحن عبر المحافظات:
- شركة الأهلية.
- شركة القدموس.
