HY3215 – MOSFET
0.000 $
أقصى جهد (VDSS): 150V
أقصى تيار مستمر (ID): 130A
N-Channel MOSFET
الوصف
ترانزستور HY3215 هو N-Channel MOSFET مصمم لتحمل تيار يصل إلى 130 أمبير وجهد يصل إلى 150 فولت. يتميز بمقاومة داخلية منخفضة RDS(on) تبلغ 11.5 ملي أوم (عند VGS = 10V)، وهو مثالي للتطبيقات التي تتطلب كفاءة في تحويل الطاقة وتحكم دقيق في المحركات.
المواصفات الفنية الأساسية:
- أقصى جهد Drain-Source (VDSS): 150V
- أقصى تيار Drain مستمر (ID): 130A (عند Tc = 25°C)
- أقصى تيار Drain نبضي (IDM): 510A
- أقصى جهد Gate-Source (VGSS): ±25V
- مقاومة RDS(ON): 11.5mΩ (عند VGS = 10V)
- القدرة القصوى للتبديد الحراري (PD): 349W (عند Tc = 25°C)
- درجة الحرارة التشغيلية القصوى (TJ): 175°C
- مقاومة التوصيل الحرارية (RθJC): 0.43°C/W
الميزات:
- اختبار Avalanche بنسبة 100%: يضمن المتانة والاعتمادية في التطبيقات القاسية.
- مقاومة داخلية منخفضة: تضمن تقليل الفقد في الطاقة وزيادة الكفاءة.
- حزمة TO-247: توفر أداء حراري ممتاز وسهولة في التركيب.
التطبيقات:
- محركات التيار المستمر بدون فرش (Brushless Motor Drive)
- أنظمة التوجيه الكهربائي للسيارات (Electric Power Steering)
- أنظمة تحويل الطاقة
- تطبيقات الطاقة العالية في المركبات الكهربائية والصناعية
Data sheet: HY3215W
الشحن والتسليم
نعمل مع العديد من شركات الشحن والتوصيل
شركات التوصيل ضمن المحافظات:
- دمشق: Yes Delivery. لمعرفة أسعار الشحن ضمن مدينة دمشق اضغط هنا.
- حلب: فلاش دلفري.
اختر ما يناسبك من شركات التوصيل في مدينتي دمشق وحلب
شركات الشحن عبر المحافظات:
- شركة الأهلية.
- شركة القدموس.
