B817

الترانزستور 2SB817 او B817 هو ترانزستور PNP عالي القدرة مصنوع من مادة السيليكون (Si). يأتي في عبوة TO-3P ويستخدم بشكل شائع في تطبيقات التضخيم الصوتي والتبديل. يتميز هذا الترانزستور بقدرته العالية على تحمل الجهد والتيار، مما يجعله مناسبًا لتطبيقات الطاقة العالية، مثل مكبرات الصوت ودارات التحكم في الأحمال الكبيرة. يستخدم عادةً مع الترانزستور المكمل له D1047 (أو 2SD1047) لتوفير أداء متوازن وثابت في دوائر التضخيم.

المواصفات الفنية

• نوع الترانزستور: PNP
• مادة الترانزستور: سيليكون (Si)
• أقصى قدرة تبديد للجامع (Pc): 100 واط
• أقصى جهد بين الجامع والقاعدة (|Vcb|): 160 فولت
• أقصى جهد بين الجامع والمشع (|Vce|): 160 فولت
• أقصى جهد بين المشع والقاعدة (|Veb|): 6 فولت
• أقصى تيار للجامع (|Ic max|): 12 أمبير
• أقصى درجة حرارة لتشغيل الوصلة (Tj): 150 درجة مئوية
• التردد الانتقالي (ft): 7.5 ميجاهرتز
• سعة الجامع (Cc): 300 بيكو فاراد
• نسبة نقل التيار الأمامي (hFE)، الحد الأدنى: 60
• معدل الضجيج (dB): غير محدد (يفترض أن يكون سالبًا)

الاستخدامات

يستخدم الترانزستور 2SB817 في مجموعة متنوعة من التطبيقات، بما في ذلك:

• مكبرات الصوت عالية القدرة: حيث يعمل على تضخيم الإشارة بشكل فعال.
• دوائر التحكم في المحركات: نظرًا لقدرته العالية على تحمل التيار، يمكن استخدامه في التحكم بالأحمال الكهربائية الكبيرة.
• تطبيقات التبديل عالية القدرة: في الدوائر التي تتطلب تبديلًا فعالًا للأحمال ذات التيار العالي، مثل المرحلات والأحمال المقاومة.

Data sheet: B817