B816

الترانزستور 2SB816 او B816 هو ترانزستور PNP عالي القدرة مصنوع من السيليكون (Si). يتميز هذا الترانزستور بقدرته العالية على تحمل الجهد والتيار، مما يجعله مناسبًا للتطبيقات عالية القدرة مثل مكبرات الصوت ودارات التحكم في الأحمال الكبيرة. يأتي في عبوة TO-220 ويستخدم بشكل شائع في تطبيقات التضخيم والتبديل. يتمتع بقدرة تبديد قصوى تبلغ 80 واط، مما يجعله فعالاً للعديد من التطبيقات.

المواصفات الفنية

• نوع الترانزستور: PNP
• مادة الترانزستور: سيليكون (Si)
• أقصى قدرة تبديد للمجمع (Pc): 80 واط
• أقصى جهد بين المجمع والقاعدة (|Vcb|): 150 فولت
• أقصى جهد بين المجمع والباغث (|Vce|): 150 فولت
• أقصى جهد بين الباغث والقاعدة (|Veb|): 6 فولت
• أقصى تيار للمجمع (|Ic max|): 8 أمبير
• أقصى درجة حرارة للتشغيل (Tj): 150 °م
• التردد الانتقالي (ft): 7.5 ميغاهرتز
• سعة المجمع (Cc): 220 بيكوفاراد
• نسبة نقل التيار الأمامي (hFE) الأدنى: 60

الاستخدامات

يستخدم ترانزستور 2SB816 في مجموعة متنوعة من التطبيقات، بما في ذلك:

• مكبرات الصوت: يقوم بتضخيم الإشارات بفعالية في مراحل التضخيم النهائية.
• دوائر التحكم في المحركات: مناسب للتحكم في الأحمال الكهربائية الكبيرة نظرًا لقدرته العالية على تحمل التيار.
• تطبيقات التبديل عالية القدرة: يُستخدم في الدوائر التي تتطلب تبديلًا فعالًا للأحمال ذات التيار العالي، مثل المرحلات والأحمال المقاومة.

Data sheet: B816