KIA50N06 – MOSFET
0.000 $
أقصى جهد (VGS): 25 فولت
أقصى تيار (ID): 50 أمبير
نوع القناة: N-Channel
الوصف
المواصفات الفنية:
- رمز النوع: KIA50N06
- نوع الترانزستور: MOSFET
- نوع قناة التحكم: N-Channel
- أقصى تبديد للطاقة (Pd): 120 واط
- أقصى جهد بين المصب والمصدر (|Vds|): 60 فولت
- أقصى جهد بين البوابة والمصدر (|Vgs|): 25 فولت
- أقصى جهد عتبة البوابة (|Vgs(th)|): 4 فولت
- أقصى تيار من المصدر (|Id|): 50 أمبير
- أقصى درجة حرارة تقاطع (Tj): 175°C
- إجمالي شحنة البوابة (Qg): 31 نانوكولوم
- زمن الصعود (tr): 105 نانوثانية
- سعة الخرج (Coss): 440 بيكوفاراد
- أقصى مقاومة حالة التشغيل بين المصب والمصدر (Rds): 0.022 أوم
- العبوة: TO220M-SQ
Data sheet: KIA50N06
الشحن والتسليم
نعمل مع العديد من شركات الشحن والتوصيل
شركات التوصيل ضمن المحافظات:
- دمشق: Yes Delivery. لمعرفة أسعار الشحن ضمن مدينة دمشق اضغط هنا.
- حلب: فلاش دلفري.
اختر ما يناسبك من شركات التوصيل في مدينتي دمشق وحلب
شركات الشحن عبر المحافظات:
- شركة الأهلية.
- شركة القدموس.
منتجات ذات صلة
