IRFP4668
0.000 $
نوع الترانزستور: N-Channel
أقصى جهد بين المصرف والمصدر (VDS): 200 فولت
أقصى جهد بين البوابة والمصدر (VGS): ±20 فولت
أقصى تيار مستمر للمصرف (ID): 130 أمبير
ترانزستور IRFP4668 وIRFP4668PbF هما MOSFETs متطابقان مع نفس المعلمات الكهربائية والمواصفات. يغطي هذا المنشور تفاصيل الدبوس، التطبيقات، المعادلات، المميزات، وغيرها من التفاصيل الهامة المتعلقة بـ IRFP4668 MOSFET.
المميزات / المواصفات الفنية:
- نوع الحزمة: TO-247
- نوع الترانزستور: N-Channel
- أقصى جهد بين المصرف والمصدر (VDS): 200 فولت
- أقصى جهد بين البوابة والمصدر (VGS): ±20 فولت
- أقصى تيار مستمر للمصرف (ID): 130 أمبير
- أقصى تيار نبضي للمصرف: 520 أمبير
- أقصى قدرة مبددة: 520 واط
- أقصى مقاومة بين المصرف والمصدر في حالة التشغيل (RDS(on)): 9.7 مللي أوم
- إجمالي شحن البوابة (Qg): 161 إلى 241 نانو كولوم
- أقصى درجة حرارة للتخزين والتشغيل: -55°C إلى +175°C
المعادلات والمعادلات البديلة:
- الموديلات البديلة: IRFP4668PbF، AUIRFP4668
الوصف:
يعد IRFP4668 MOSFET عالي القدرة والجهد متاحًا في حزمة TO-247. وهو ترانزستور من نوع N-Channel مصمم للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات مثل أنظمة الطاقة المتنقلة (SMPS)، وأنظمة الطاقة غير المنقطعة (UPS)، والعمليات السريعة، والدارات ذات التبديل الصعب. تتميز خصائصه بجعله مثاليًا لمجموعة متنوعة من التطبيقات.
المميزات الرئيسية:
- جهد عالي بين المصرف والمصدر: يمكن للترانزستور العمل في التطبيقات عالية الجهد حتى 200 فولت، مما يجعله مناسبًا للبيئات القاسية.
- سرعة تبديل عالية: مصمم لتطبيقات تتطلب تبديلًا سريعًا، مثل دوائر الطاقة غير المنقطعة.
- نطاق درجة حرارة تشغيل واسع: مع درجة حرارة الوصلة القصوى 175°C، يعد هذا MOSFET مناسبًا للبيئات عالية الحرارة ويمكنه التعامل بكفاءة مع توصيل أقصى تيار.
- تصميم متين: التصميم المحسن يوفر حماية متزايدة ضد الطفرات الكهربائية العالية وتحكم أفضل في البوابة، مما يحسن الأداء.
التطبيقات:
يعد IRFP4668 مناسبًا لمجموعة متنوعة من التطبيقات، بما في ذلك:
- مصادر الطاقة ذات التبديل السريع (SMPS)
- دوائر إدارة البطارية (BMS)
- أنظمة الطاقة غير المنقطعة (UPS)
- دوائر شحن البطاريات
- تطبيقات محركات القيادة
- محولات DC إلى DC
- عاكسات الطاقة الشمسية
- إمدادات الطاقة الشمسية
- دوائر التبديل عالية التردد
تعليمات الاستخدام:
استخدام IRFP4668 MOSFET مشابه لاستخدام MOSFETs الأخرى، ولكن من الضروري معرفة الحد الأدنى من جهد البوابة المطلوب لتشغيله بالكامل. وفقًا لمواصفاته، يتطلب الجهد البوابة على الأقل 7 فولت للوصول إلى التشبع الكامل وتقديم الحد الأقصى من التيار.
إرشادات التشغيل الآمن:
لضمان تشغيل آمن للـ IRFP4668، اتبع الإرشادات التالية:
- يجب دائمًا العمل تحت الحدود القصوى المطلقة. حافظ على هامش أمان لا يقل عن 20%.
- بالنسبة لأقصى جهد بين المصرف والمصدر البالغ 200 فولت، لا تتجاوز 160 فولت للبقاء ضمن الحدود الآمنة.
Data sheet: IRFP4668
نعمل مع العديد من شركات الشحن والتوصيل
شركات التوصيل ضمن المحافظات:
- دمشق: Yes Delivery. لمعرفة أسعار الشحن ضمن مدينة دمشق اضغط هنا.
- حلب: فلاش دلفري.
اختر ما يناسبك من شركات التوصيل في مدينتي دمشق وحلب
شركات الشحن عبر المحافظات:
- شركة الأهلية.
- شركة القدموس.
