تم إضافة “BC337” إلى سلة مشترياتك. عرض السلة
الوصف
IRFP250 هو ترانزستور MOSFET ذو بوابة من السيليكون من نوع N-Channel في وضع تعزيز، وهو مصمم للعمل في وضع انهيار الطاقة (Avalanche Mode) ويضمن تحمل مستوى محدد من الطاقة أثناء ذلك. تم تصميم هذا الترانزستور للتطبيقات مثل منظمات التبديل، محولات التبديل، مشغلات المحركات، مشغلات المرحلات، ومشغلات الترانزستورات ثنائية القطب عالية الطاقة التي تتطلب سرعة عالية وطاقة منخفضة للتحكم في البوابة. يمكن تشغيله مباشرة من الدوائر المتكاملة. كما يمكن استخدامه لبناء مكبرات صوت شبه متماثلة، وهناك العديد من التصاميم المجربة المتاحة على الإنترنت.
المواصفات الفنية:
- التيار: 33 أمبير
- الجهد: 200 فولت
- المقاومة (RDS(ON)): 0.085 أوم
- النوع: MOSFET ذو القناة N
- العبوة: TO-247
التطبيقات:
- محولات التيار المستمر (DC-DC converters)
- مشغلات المحركات
- مكبرات الطاقة
- تطبيقات التبديل عالية الطاقة
معلومات المنتج:
- العلامة التجارية: Generic
- الطراز: D-IRFP250
- الأبعاد: 3 × 2 × 0.5 سم؛ الوزن: 25 غرام
- بلد المنشأ: تايوان
Data sheet: IRFP250
الشحن والتسليم
نعمل مع العديد من شركات الشحن والتوصيل
شركات التوصيل ضمن المحافظات:
- دمشق: Yes Delivery. لمعرفة أسعار الشحن ضمن مدينة دمشق اضغط هنا.
- حلب: فلاش دلفري.
اختر ما يناسبك من شركات التوصيل في مدينتي دمشق وحلب
شركات الشحن عبر المحافظات:
- شركة الأهلية.
- شركة القدموس.
منتجات ذات صلة
TIP35C
0.000 $
