IRFBG30 – MOSFET
0.000 $
أقصى جهد بين المصب والمصدر: 1000 فولت
تيار أقصى من المصدر: 3.1 أمبير
MOSFET – N-Channel
الوصف
الـ IRFBG30 هو ترانزستور MOSFET من نوع N-Channel مصمم للتطبيقات عالية الجهد. يتميز بقدرة تبديد طاقة تصل إلى 125 واط، مما يجعله مناسبًا للتعامل مع الأحمال الكبيرة. يوفر هذا الترانزستور قدرات تبديل عالية السرعة، وشحنة بوابة إجمالية منخفضة، ويعمل بجهد أقصى بين المصب والمصدر يبلغ 1000 فولت. مع تيار أقصى من المصدر يبلغ 3.1 أمبير، فهو مثالي لتطبيقات التبديل عالية الجهد، بما في ذلك مصادر الطاقة والمعدات الصناعية.
الميزات:
- قدرة تبديد الطاقة العالية: 125 واط
- أقصى جهد بين المصب والمصدر: 1000 فولت
- مقاومة منخفضة في حالة التشغيل: 5 أوم
- تبديل عالي السرعة: زمن الصعود 25 نانوثانية
- شحنة بوابة إجمالية منخفضة: 80 نانوكولوم (أقصى)
- تيار أقصى من المصدر: 3.1 أمبير
- أقصى جهد بين البوابة والمصدر: 20 فولت
- أقصى جهد عتبة البوابة: 4 فولت
- أقصى درجة حرارة للمفصل: 150 درجة مئوية
- السعة الناتجة: 140 بفقف
الاستخدامات:
- التبديل عالي الجهد: مثالي للدارات التي تعمل على جهد عالٍ.
- مصادر الطاقة: مناسب لدارات مصادر الطاقة عالية الجهد.
- المعدات الصناعية: فعال في التطبيقات التي تتطلب تبديل قوي على جهد عالٍ.
- منظمات التبديل: مفيد في الدوائر التي تدير وتنظم الجهود العالية.
Data sheet: IRFBG30
الشحن والتسليم
نعمل مع العديد من شركات الشحن والتوصيل
شركات التوصيل ضمن المحافظات:
- دمشق: Yes Delivery. لمعرفة أسعار الشحن ضمن مدينة دمشق اضغط هنا.
- حلب: فلاش دلفري.
اختر ما يناسبك من شركات التوصيل في مدينتي دمشق وحلب
شركات الشحن عبر المحافظات:
- شركة الأهلية.
- شركة القدموس.
