HYG025N06LS1P – MOSFET
0.000 $
تيار من المصدر: 160 أمبير
جهد أقصى بين المصب والمصدر: 60 فولت
MOSFET – N-Channel
الوصف
الـ HYG025N06LS1P هو ترانزستور MOSFET من نوع N-Channel مصمم للتطبيقات المتقدمة. يتميز بقدرة تبديد طاقة تصل إلى 125 واط، مما يجعله مناسبًا للتعامل مع الأحمال الكبيرة. يمتاز الترانزستور بمقاومة منخفضة في حالة التشغيل، وقدرات تبديل عالية السرعة، وشحنة بوابة إجمالية منخفضة. مع جهد أقصى بين المصب والمصدر يبلغ 60 فولت، والتيار الأقصى من المصدر 160 أمبير، يعتبر هذا الترانزستور مثاليًا للاستخدام في تكبير الطاقة، منظمات التبديل، ومحولات التيار المستمر إلى التيار المستمر.
الميزات:
- قدرة تبديد الطاقة العالية: 125 واط
- مقاومة منخفضة في حالة التشغيل: 0.0032 أوم
- تبديل عالي السرعة: زمن الصعود 34 نانوثانية
- شحنة بوابة إجمالية منخفضة: 58.3 نانوكولوم
- قدرة عالية على التيار من المصدر: 160 أمبير
- جهد أقصى بين المصب والمصدر: 60 فولت
- جهد أقصى بين البوابة والمصدر: 20 فولت
- جهد أقصى بين البوابة والمصدر: 3 فولت
- درجة الحرارة القصوى للمفصل: 175 درجة مئوية
- السعة الناتجة: 1310 بفقف
الاستخدامات:
- تكبير الطاقة: مناسب للدائرة التي تتطلب التعامل مع طاقة كبيرة.
- منظمات التبديل: مثالي للمشاريع التي تحتاج إلى تنظيم جهد فعال مع تبديل سريع.
- محولات التيار المستمر إلى التيار المستمر: يستخدم في الدوائر للتحويل الفعال بين مستويات الجهد المختلفة.
- دوائر التحكم في المحركات: فعال في التحكم في تشغيل المحركات بفضل قدرته العالية على التيار.
Data sheet: HYG025N06LS1P
الشحن والتسليم
نعمل مع العديد من شركات الشحن والتوصيل
شركات التوصيل ضمن المحافظات:
- دمشق: Yes Delivery. لمعرفة أسعار الشحن ضمن مدينة دمشق اضغط هنا.
- حلب: فلاش دلفري.
اختر ما يناسبك من شركات التوصيل في مدينتي دمشق وحلب
شركات الشحن عبر المحافظات:
- شركة الأهلية.
- شركة القدموس.
