الوصف
Type Designator: HY3210P
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 237 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 120 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 120 nC
Rise Time (tr): 35 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 902 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0085 Ohm
Datasheet:hy3210p
الشحن والتسليم
نعمل مع العديد من شركات الشحن والتوصيل
شركات التوصيل ضمن المحافظات:
- دمشق: Yes Delivery. لمعرفة أسعار الشحن ضمن مدينة دمشق اضغط هنا.
- حلب: فلاش دلفري.
اختر ما يناسبك من شركات التوصيل في مدينتي دمشق وحلب
شركات الشحن عبر المحافظات:
- شركة الأهلية.
- شركة القدموس.
منتجات ذات صلة
