FQPF12N60C – MOSFET
0.000 $
أقصى جهد Drain-Source: 600V
أقصى تيار Drain: 12A
N-channel MOSFET
الوصف
ترانزستور FQPF12N60C من نوع N-channel MOSFET، الذي يتميز بقدرة تحمّل تصل إلى 600 فولت كحد أقصى للجهد بين Drain-Source وقدرة تيار تصل إلى 12 أمبير. هذه الترانزستورات مثالية للتطبيقات عالية الجهد والطاقة، بما في ذلك محولات الطاقة، أنظمة الإضاءة، وأنظمة الطاقة المتجددة. يأتي كل ترانزستور في حزمة TO-220F، مما يضمن أداءً حراريًا ممتازًا وسهولة في التكامل ضمن الدوائر الخاصة بك.
المواصفات الفنية:
- النوع: N-Channel Power MOSFET
- أقصى جهد Drain-Source: 600V
- أقصى تيار Drain: 12A
- المقاومة الداخلية (Rds(on)): 0.55Ω
- القدرة القصوى: 125W
- حزمة التغليف: TO-220F
- درجة الحرارة التشغيلية: -55°C إلى +150°C
الميزات:
- تصنيف جهد عالي: يتحمل حتى 600 فولت لضمان التشغيل الموثوق في التطبيقات الصعبة.
- قدرة تيار عالية: يدعم حتى 12 أمبير من التيار، مما يجعله مناسبًا للدوائر ذات الطاقة العالية.
- مقاومة منخفضة للحالة التشغيلية: يقلل من الفاقد في الطاقة ويزيد من الكفاءة.
- حزمة TO-220F: توفر أداءً حراريًا ممتازًا وسهولة في التثبيت.
التطبيقات:
- دوائر تحويل الطاقة
- أنظمة الإضاءة عالية الطاقة
- أنظمة الطاقة الشمسية
- وحدات التحكم في المحركات
- مصادر الطاقة غير المنقطعة (UPS)
Data sheet:FQPF12N60C
الشحن والتسليم
نعمل مع العديد من شركات الشحن والتوصيل
شركات التوصيل ضمن المحافظات:
- دمشق: Yes Delivery. لمعرفة أسعار الشحن ضمن مدينة دمشق اضغط هنا.
- حلب: فلاش دلفري.
اختر ما يناسبك من شركات التوصيل في مدينتي دمشق وحلب
شركات الشحن عبر المحافظات:
- شركة الأهلية.
- شركة القدموس.
