19N60E

المواصفات:

• النوع: ترانزستور MOSFET N-Channel
• جهد التصريف إلى المصدر (VDS): 600 فولت
• تيار التصريف المستمر (ID): 19 أمبير
• تيار التصريف النبضي (ID, Pulsed): 38 أمبير
• المقاومة عند التشغيل (RDS(on)): حوالي 0.19 أوم
• جهد البوابة إلى المصدر (VGS): ±20 فولت
• شحنة البوابة (Qg): حوالي 50 نانو كولوم
• سرعة التبديل: قدرات تبديل سريعة
• نطاق درجة حرارة التشغيل: من -55°C إلى +150°C

الميزات:

• تصنيف جهد عالٍ: يمكنه العمل حتى 600 فولت، مما يجعله مناسبًا للتطبيقات عالية الجهد.
• مقاومة تشغيل منخفضة: يوفر توصيلًا فعالًا مع فقد طاقة أقل.
• سرعة تبديل سريعة: مناسب للتطبيقات التي تتطلب سرعات تبديل سريعة، مثل وحدات الطاقة والمحولات.
• تصميم قوي: مصمم للموثوقية في البيئات الصعبة.

التطبيقات:

• وحدات الطاقة
• دوائر التحكم في المحركات
• العاكسات
• منظمات التبديل
• التحكم في الإضاءة
• التطبيقات في السيارات

تكوين الدبوس:

عادةً ما يحتوي ترانزستور 19N60E على ثلاثة دبابيس:

1. التصريف (D): حيث يتدفق التيار للخارج.
2. البوابة (G): تتحكم في تشغيل الترانزستور.
3. المصدر (S): حيث يدخل التيار.

يعد 19N60E خيارًا شائعًا لمصممي الإلكترونيات الذين يبحثون عن ترانزستور MOSFET عالي الجهد وعالي التيار في تطبيقات الطاقة الإلكترونية.